| 測量原理
激光干涉法適用范圍 可用于測量工件尺寸為 Φ2---Φ8（INCH）直徑的圓型晶片
測量精度及量程
1、關于厚度
厚度量程：100---2000um，測量精度與 WAFER 表面光潔度有關，即： 測量重復精度（砷化鎵等二代半導體類雙拋表面 WAFER）：±0.3um ; 測量重復精度（碳化硅等三代半導體類研磨表面 WAFER）: ±0.5um ; 測量重復精度（藍寶石類單拋表面 WAFER）：±0.5um ; 2、關于平面度/表面形態參數測量精度 |
測量精度：±0.06μm 重復性精度：±0.03μm 分辨率：±0.005μm
像素點數：≥250000 3、分選速度
為了保證不造成對 WAFER 表面造成損傷，研究人員建議的安全分選速度為： 100 片/小時左右。
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