FEI Vion™ Plasma 聚焦離子束系統(tǒng) (PFIB) 能使您的實(shí)驗(yàn)室實(shí)力大增，因?yàn)橹恍柽@一臺(tái)使用簡(jiǎn)便的設(shè)備便可獲得**的光刻和成像性能。采用等離子源技術(shù)的 Vion PFIB 擁有比傳統(tǒng)鎵 FIB 儀器更高的吞吐量，具體來(lái)說(shuō)，位置特異性切片分析、大面積光刻和樣本制備的速度提高了 20 倍以上。Vion PFIB 在低離子束電流下也能實(shí)現(xiàn)的光刻精確度和高分辨率成像，能夠快速、準(zhǔn)確地生成高對(duì)比度圖像，這對(duì)眾多工藝控制、失效分析或材料研究應(yīng)用至關(guān)重要。

性能特點(diǎn)

Vion PFIB 的材料科學(xué)應(yīng)用
Vion PFIB 特別適合用于金屬、復(fù)合物和涂層，并支持眾多材料表征、失效分析和樣本制備應(yīng)用。

快速制作位置特異性切片，同時(shí)直接對(duì)樣本成像以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控目的
提高銑削速度，無(wú)需為大面積及重復(fù)性銑削項(xiàng)目以及鋼等低濺射速率材料而**質(zhì)量
開展動(dòng)態(tài)壓縮或拉伸測(cè)試時(shí)，迅速對(duì)結(jié)構(gòu)和表面執(zhí)行位置特異性顯微加工。
開展電子背散射衍射分析時(shí)，制備高質(zhì)量的位置特異性表面；制備適用于 SEM 和 TEM 等其他成像和表征技術(shù)的標(biāo)本
獲得亞 30 nm 圖像分辨率，以便快速識(shí)別與測(cè)量薄層及結(jié)構(gòu)
Vion PFIB 的電子工業(yè)應(yīng)用
高吞吐量三維封裝分析
Vion 等離子 FIB 是一款能夠進(jìn)行高精度高速切削和銑削的儀器。它能夠有選擇地對(duì)興趣區(qū)域進(jìn)行銑削。此外，這款 PFIB 還能有選擇地沉積構(gòu)成圖案的導(dǎo)體和絕緣體。
通過(guò)將高速光刻與**控制相結(jié)合，系統(tǒng)可以多種方式用于 IC 生產(chǎn)，例如：

隆起物、絲焊、TSV 和晶片堆疊失效分析
精確移除封裝和材料，以便開展失效分析以及隔離掩埋的芯片上的故障
在封裝級(jí)別開展工藝監(jiān)控和開發(fā)
對(duì)封裝的零件和 MEMS 器件開展缺陷分析

應(yīng)用領(lǐng)域

掃描電鏡**地應(yīng)用于金屬材料（鋼鐵、冶金、有色、機(jī)械加工）和非金屬材料（化學(xué)、化工、石油、地質(zhì)礦物學(xué)、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維）等檢驗(yàn)和研究。在材料科學(xué)研究、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、化學(xué)材料等領(lǐng)域進(jìn)行材料的微觀形貌、組織、成分分析，各種材料的形貌組織觀察，材料斷口分析和失效分析，材料實(shí)時(shí)微區(qū)成分分析，元素定量、定性成分分析，快速的多元素面掃描和線掃描分布測(cè)量，晶體、晶粒的相鑒定，晶粒尺寸、形狀分析，晶體、晶粒取向測(cè)量。