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公司名稱 武漢普賽斯儀表有限公司
品牌
型號(hào) 普賽斯
所在地 武漢市
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2023/12/5 9:19:06
訪問次數(shù) 184

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

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普賽斯功率半導(dǎo)體器件CV測(cè)試儀主要由源表、LCR 表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測(cè)件上，詳情上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢

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功率半導(dǎo)體器件CV測(cè)試儀優(yōu)勢(shì)

頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點(diǎn)可調(diào)；
高精度、大動(dòng)態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；
內(nèi)置CV測(cè)試：內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時(shí)間），C-F（電容 - 頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能;
兼容IV測(cè)試：同時(shí)支持擊穿特性以及漏電流特性測(cè)試；
實(shí)時(shí)曲線繪制：軟件界面直觀展示項(xiàng)目測(cè)試數(shù)據(jù)及曲線，便于監(jiān)控；
擴(kuò)展性強(qiáng)：系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，可根據(jù)需求靈活搭配，更多詳情上“普賽斯儀表”官&網(wǎng)
基本參數(shù)

CV參數(shù)1.jpg

CV參數(shù)2.jpg

CV參數(shù)3.jpg

CV測(cè)試曲線圖.jpg

功率半導(dǎo)體器件CV測(cè)試儀典型配置

典型配置.jpg

電容-電壓(C-V)測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C-V特性），C-V曲線測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。

系統(tǒng)方案

普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測(cè)件上

CV測(cè)試系統(tǒng).jpg

進(jìn)行C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般使用的交流信號(hào)頻率在10KHz 到1MHz 之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。