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SAL3000 原子層沉積系統
SAL3000 原子層沉積系統是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設備,該設備多可搭載6路前驅體,適用于4英寸(φ100mm)以下基底材料的鍍膜。該設備在保持了優異的膜厚分布外,還可進一步通過改變鍍膜方向,來進一步提高鍍膜的質量。并且該設備還可搭載互鎖腔體(Load lock Chamber)和手套箱來沉積需要氣氛保護的樣品。
性能及特點:
1.鍍膜質量高
·膜厚均勻性≤3% @ 100mm
·對于內孔、凹槽與高深寬比結構具有良好的沉積均勻性;
·膜厚可準確控制達一個原子層;
·大面積制程可達到無孔洞薄膜(Pin Hole free)
·*的重復性及穩定性
·材料缺陷密度低
·可成長非晶型或結晶薄膜(選擇溫度)
2.兩種成膜方向可選
·可選擇將薄膜沉積在基底上表面(SAL-3000D)和基底下表面(SAL-3000U),薄膜沉積在基底下表面可降低顆粒附著基底的風險。
3. 可搭載互鎖腔體(Load lock chamber)和手套箱
4.圖形用戶界面,觸控操作,簡單易用,可存儲30多種鍍膜方案;
5.主機與控制機箱一體化設計;
6. 可搭配多種配件:
干式真空泵,臭氧發生器,尾氣處理裝置,800℃基底加熱器,200℃前驅體加熱器等,退火設備等;
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