脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）（Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。

 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

PLD系統(tǒng)的核心技術(shù)一直被國外壟斷，以往的國產(chǎn)系統(tǒng)在性能上與進(jìn)口設(shè)備存在較大差距。我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過與國內(nèi)科研機(jī)構(gòu)協(xié)作，共同開發(fā)出了性能優(yōu)異的PLD系統(tǒng)。我公司開發(fā)的一臺(tái)脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）已順利交付用戶（清華大學(xué)）使用，并獲得用戶的好評。

脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

• 生長室，進(jìn)樣室可選

• 水平、垂直兩種靶臺(tái)可選

• 激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺(tái)可選，激光加熱溫度高至1200℃

• 工藝氣路可以任意搭配

• 配備高壓RHEED，工作氣壓可達(dá)100Pa

• 可預(yù)留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等

• 其它可選項(xiàng)如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等

脈沖激光沉積系統(tǒng)特點(diǎn)及優(yōu)勢：

• 可根據(jù)客戶需求定制產(chǎn)品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術(shù)支持；

• 靶臺(tái)多可以安裝6個(gè)靶位，靶材更換靈活；

• 樣品臺(tái)樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；

• 進(jìn)樣室可以存儲(chǔ)多個(gè)靶和樣品；

• 交易過程無需繁瑣的進(jìn)、出關(guān)手續(xù), 交貨期短，性價(jià)比高；

另外，我們還提供不含RHEED的簡易PLD系統(tǒng)，并可根據(jù)用戶的要求定制