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簡介：可評估薄膜導(dǎo)電性能的高溫四探針測試儀采用直排四探針法設(shè)計原理測量。主要用于評估半導(dǎo)體薄膜和薄片的導(dǎo)電性能，重復(fù)性與穩(wěn)定性更好，采用雙屏蔽高頻測試線纜，提高測試參數(shù)的精確度，同時抗干擾能力更強。本設(shè)...

簡介：HCTZ-2S北京華測試驗儀器四探針測試儀器是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄...

簡介：

簡介：

簡介：4D公司所提供的探針質(zhì)保次數(shù)是25萬次，而實際從客戶反饋的信息是壽命達(dá)到100萬次以上，甚至150萬次以上。同時4D還為客戶提供探頭的探針更換服務(wù)，大大降低客戶的使用成本。美國四探針電阻率/方塊電...

簡介：RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外...

簡介：于測試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻測量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm；方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；RTS-11型金屬四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備，該儀器按...

簡介：測量范圍電阻率：0.001～200Ω.cm(可擴展)；方塊電阻：0.01～2000Ω/□(可擴展)；電導(dǎo)率：0.005～1000s/cm；電阻：0.001～200Ω.cm；

簡介：HCTZ-2S北京華測四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的...

簡介：可評估薄膜導(dǎo)電性能的高溫四探針測試儀采用直排四探針法設(shè)計原理測量。主要用于評估半導(dǎo)體薄膜和薄片的導(dǎo)電性能，參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計。重復(fù)性與穩(wěn)定性更好，采用雙屏蔽高頻測試線纜，提高測試參數(shù)的...