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GNR直讀光譜儀S1 鐵基 鎳基 鋁基 銅基

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1. 同級別直讀光譜儀中***穩定的精度為了獲得***佳的檢測精度,GNR研發團隊通過幾十年的技術積累,采用了多種行業******的技術來達到這一目的。a. 采用單塊標樣的智能校準法+波長實時校準由于光學器件會受到空氣污染,譜線的光強度(圖1中譜線的高度)會變化,...

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1.    同級別直讀光譜儀中***穩定的精度

為了獲得***佳的檢測精度,GNR研發團隊通過幾十年的技術積累,采用了多種行業******的技術來達到這一目的。

a.     采用單塊標樣的智能校準法+波長實時校準

由于光學器件會受到空氣污染,譜線的光強度(圖1中譜線的高度)會變化,而譜線高度代表著元素含量,因此譜線高度的忽高忽低會影響測樣結果的穩定性。一般直讀光譜儀需要用5-9塊標樣來做全校準,而GNR的智能校準算法可以***計算每個待測元素的每條譜線的高度變化,做到***精密的校準。 GNR通過幾十年累計的測試數據來擬合元素之間的關聯,從而用一塊標樣的校準來達到多塊標樣校準的效果。

由于溫度的變化及儀器環境的震動等原因,譜線會發生水平方向的漂移,這同樣會導致含量的忽高忽低,因而影響測樣結果的穩定性。波長實時校準可以在每次激發預燃燒時***計算每個待測元素的每條譜線的***新像素點,確保準確檢測元素的譜線位置,從而達到***穩定的測樣精度。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

圖1. 智能校準費+波長實時校準效果圖(雙擊圖片顯示動態圖)

 

 

b.     分辨率***高的coms檢測器

CMOS與 CCD對比


CMOS

CCD

封裝外形

如上圖,24P

和CMOS非常類似,22P

像素

4096

3648

單個像素尺寸

7*200um

8*200um

單個器件感光長度

28.672 mm

29.184 mm

感光靈敏度

650 V/(lx.s)

160 V/(lx.s)

暗電流電壓 (TYP)

0.1 mV

2 mV

暗電流電壓 (MAX)

2 mV

5 mV

飽和輸出電壓

2000 mV

600 mV

單位時間飽和亮度

=飽和輸出電壓/感光靈敏度

0.00307 lx.s

0.00375 lx.s

*動態范圍

=飽和輸出電壓/暗電流電壓

20000

300




 

GNR采用了CMOS作為***新款直讀光譜儀的檢測器,相比較之前的CCD,在元器件性能上有如下的性能提升:

 

首先這兩款元器件(CMOS和CCD)采用了想類似的芯片封裝,在結構上除了CMOS是24針腳,CCD是22針腳以外,其他幾乎一致。因此直讀光譜儀的分光室幾乎延續了之前的設計,沒有大的改動。而GNR經典的CCD直讀光譜儀S1,S3等系列之所以廣受歡迎,設計精密的分光室是其中重要的因素。CMOS在結構上同CCD的一致性,也保證了GNR經典的分光設計得到了完整地延續。也因此,新款的CMOS直讀光譜儀在外形設計上與經典的CCD直讀光譜儀一致。

 

另外GNR采用了陣列CMOS,單個CMOS檢測具有4096個像素點,每個像素點尺寸為7*200um。相比較,之前采用的是3648像素,單個像素點是8*200um。因此可以看到,這款新型的CMOS具有了更高的像素。另外單個像素點相對CCD縮小了1um。在儀器分光焦面上,檢測相同寬度的焦面df,CMOS投入了更多的像素來檢測,相對于CCD,分辨率提高了將近40%。

以下圖譜線為例:圖A是檢測該譜線CMOS投入的像素,圖中一條豎格代表一個像素,圖B是檢測該譜線CCD投入的像素。

 

 

 

 





 



圖A:CMOS

 

圖B:CCD

 

我們選擇CMOS作為檢測器的另一大原因是CMOS更廣的動態范圍。***點是感光靈敏度的提升。這款CMOS的感光靈敏度是650V/(lx·s),而相對CCD靈敏度是160 V/(lx·s),也就是說在相同亮度光照射下,CMOS的輸出信號強度大約是CCD的4倍。由于直讀光譜儀需要檢測的元素幾乎全是雜質元素,因此檢測對象的光信號普遍較弱,而光電的轉換實質上是模擬信號轉換成數字信號,這不僅對AD器件的要求,也對低電平信號的處理要求非常嚴格。從硬件上的布線不受到互相干擾,到信號處理方式是否合理正確,都局限了CCD直讀光譜儀檢測結果的***度。而CMOS感光靈敏度的提升大大降低了讀出系統的設計難度和出錯度。

此外,CMOS的暗電流典型電壓是0.1mV,相對于CCD的2mV降低到了僅僅5%。由于暗電流幾乎決定了檢測器的背景強度,也即是檢測器能夠檢測的元素***低含量,因此CMOS的這個特性極大得降低了GNR直讀光譜儀的檢出限。在產品特性上,實現了各個型號的性能下沉,比如S1采用了CMOS之后就能檢測一些之前CCD S3才能檢測的元素或者含量范圍。當然,S3也開始達到了之前CCD S5的分析性能。對于用戶來說,滿足檢測需求的儀器選擇范圍更加寬廣了。

然而,在單位時間飽和亮度上,CMOS和CCD性能幾乎一致。這個參數表示了檢測器檢測***強光的能力。而根據儀器檢測數據表明,CMOS在高含量元素的檢測性能方面與CCD幾乎是一致的。

***后,CMOS相對于CCD的一個重要特性就是動態范圍。這是飽和輸出電壓與暗電流電壓之比,表達的是檢測器在其檢測范圍內,可用多少刻度來表征這個檢測范圍。對于檢測器來說,檢測到的***低光強度即是暗電流,檢測到的***強光是飽和電壓所對應的光,在這個***弱光到***強光之間,不同的檢測器有不同數量的刻度,對于CCD來說,用300個刻度來表征***弱光到***強光,而這款CMOS的刻度達到了20000。因此在檢測同樣的樣品時,CCD無法捕捉到的光的波動,對于CMOS來說卻能夠很靈敏得輸出波動值,在配合上性能足夠的讀出系統后,元素的精度就能夠得到極大得提高。

 

 

c.     激發光源芯片式電阻設計

GNR根據不同的元素,設置不同火花電阻設計,可以使得火花的放電非常穩定,這樣CCD檢測到的光強度不會出現燭光似的跳動,而是如日光燈一樣的高亮度的穩定光。



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