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SOI硅基單片集成 11bit 可調光延遲線芯片單片集成多比特光時延芯片基于厚膜SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit。
SOI硅基單片集成 11bit 可調光延遲線芯片
SOI硅基單片集成 11bit 可調光延遲線芯片單片集成多比特光時延芯片基于厚膜SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit。
。相比于傳統采用微波傳輸線的電時延芯片，光時延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串擾和非目標時延信號消光比。最大時延 1ns 的 9bit 可調光延時芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統體積；由于光載波頻率相對于微波信號大至 4 個數量級的頻率比，光子集成的時延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號處理能力，適合各類超寬帶相控陣的波束合成應用。
硅基11位可調光延遲線參數如下：
序號 | 項目 | 參數 |
1 | 波長（nm） | 1550 |
2 | 延時位數 | 11，可定制 |
3 | 最小延時步進（ns） | 33，可定制 |
4 | 最大延遲（us） | 33，可定制 |
5 | 延遲線精度（ps） | ±50 |
6 | 延時偏差（重復精度@23°±1度）（ps） | ≤±1 |
7 | 延時切換時間（光開關）（ns） | 200-300 |
8 | 插入損耗（dB） | ≤30 |
9 | 各延時態損耗差異（dB） | ±1.5 |
10 | 回波損耗（dB） | 45 |
11 | 連接頭 | FC/APC |
12 | 尾纖長度（m） | 1 |
13 | 光纖類型 | 單模光纖 |
14 | 控制類型 | TTL |
15 | 電壓（V） | 5 |
16 | 電流（mA） | ＜400 |
17 | 連接器 | 可定制 |
18 | 承受光功率（mW） | 300 |
19 | 工作溫度（℃） | -30~50 |
20 | 貯存溫度（℃） | -55~70 |
21 | 尾纖長度 | 可定制 |
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