1）GB/T 10590-2006 高低溫/低氣壓試驗箱技術條件；
2）GB/T 10589-2008 低溫濕熱箱技術條件；
3）GB/T 11158-2008 高溫試驗箱技術條件；
4）GB/T 2423.1-2008 電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗A：低溫 （IEC 60068-2-1:2007, IDT）；
5）GB/T 2423.2-2008 電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗B：高溫 （IEC 60068-2-2:2007, IDT）；
6）GB/T 2423.21-2008 電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗M：低氣壓 （IEC 60068-2-13:1983, IDT）；
7）GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗N：溫度變化 （IEC 60068-2-14:2009, IDT）；
8）GB/T 2423.25-2008 電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Z/AM：低溫/低氣壓綜合試驗 （IEC 68-2-40:1976, IDT）；
9）GB/T 2423.26-2008 電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Z/BM：高溫/低氣壓綜合試驗 （IEC 68-2-41:1976, IDT）；
10）GJB 150.2A-2009 裝備實驗室環(huán)境試驗方法 第2部分：低氣壓(高度)試驗；
11）GJB 150.3A-2009 裝備實驗室環(huán)境試驗方法 第3部分：高溫試驗；
12）GJB 150.4A-2009 裝備實驗室環(huán)境試驗方法 第4部分：低溫試驗；
13）GJB 150.6A-2009 裝備實驗室環(huán)境試驗方法 第6部分：溫度高度試驗。
