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西安佰人科技有限公司研發(fā)的半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是國內(nèi)的可測(cè)試超大功率器件的產(chǎn)品

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西安佰人科技有限公司研發(fā)的半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是國內(nèi)的可測(cè)試超大功率器件的產(chǎn)品。該系統(tǒng)充分吸收測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn),采用了的嵌入式計(jì)算機(jī)技術(shù)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)技術(shù)、16位并行A/D和D/A技術(shù)、多級(jí)開爾文反饋技術(shù)、小信號(hào)精密測(cè)試技術(shù)以及現(xiàn)已申報(bào)國家技術(shù)發(fā)明的經(jīng)過驗(yàn)證的功率源和陣列開關(guān)結(jié)構(gòu)技術(shù),并選用優(yōu)質(zhì)材料制作。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)、選材、工藝、制作、調(diào)試、校驗(yàn)等諸多方面與國內(nèi)現(xiàn)有同類系統(tǒng)相比均有較大突破,從而大大提高了系統(tǒng)的技術(shù)性能和可靠性,保證了該系統(tǒng)各項(xiàng)技術(shù)性能指標(biāo)處于、的地位。其主要特點(diǎn)是提供的測(cè)試電壓高,測(cè)試電流大,測(cè)試種類多且測(cè)試項(xiàng)目全。
a) 系統(tǒng)配置高。其中:
該系統(tǒng)高壓可配置2KV選件,可將產(chǎn)品陽-陰極、陽-控極截止態(tài)擊穿電壓測(cè)試范圍和測(cè)試漏電流電壓設(shè)置到2KV。
系統(tǒng)配置HCD大電流選件可將系統(tǒng)產(chǎn)品陽-陰極間通態(tài)參數(shù)測(cè)試電流范圍從50A擴(kuò)展到400A;BR3500產(chǎn)品陽-陰極間通態(tài)參數(shù)測(cè)試電流范圍可從50A擴(kuò)展到400A/500A/1000A/1250A
/2500A。
b) 測(cè)試種類多。BR2500能夠測(cè)試12大類品種;BR3500能夠測(cè)試19大類品種。
c) 測(cè)試項(xiàng)目全、精度高。系統(tǒng)配置HCD大電流選件可以完成大于50A全直流參數(shù)的智能化精密測(cè)試,測(cè)試的IGBT參數(shù)包括:ICES、BVCES、IGESF、IGESR、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、GFS、rCE等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。

BR3500-2KV/200A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)
1)主要技術(shù)參數(shù)
系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)列表如下:
主極電壓 2000V
主極電流 200A
控制極電壓 20V
控制極電流 10A
電壓分辨率 1mV
電流分辨率 100pA
測(cè)試速度 5ms/參數(shù)
2)可測(cè)試器件種類
該系統(tǒng)是專為測(cè)試大功率半導(dǎo)體分立器件而設(shè)計(jì)。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力,能夠真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試以下19個(gè)類型的半導(dǎo)體器件以及相關(guān)器件組成的組合器件、器件陣列:
1) 二極管 DIODE
2) 晶體管 TRANSISTOR(NPN型/PNP型)
3) 穩(wěn)壓(齊納)二極管 ZENER
4) 結(jié)型場效應(yīng)管 J-FET (N-溝/P-溝,耗盡型/增強(qiáng)型)
5) MOS場效應(yīng)管 POWER MOSFET(N-溝/P-溝)
6) 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR(正電壓/負(fù)電壓,固定/可變)
7) 光電耦合器 OPTO-COUPLER(NPN型/PNP型)
8) 可控硅整流器(普通晶閘管) SCR
9) 雙向可控硅 (雙向晶閘管) TRIAC
10) 絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT(NPN型/PNP型)
11) 光電邏輯器件 OPTO-LOGIC
12) 雙向觸發(fā)二極管 DIAC
13) 固態(tài)過壓保護(hù)器 SSOVP
14) 光電開關(guān)管 OPTO-SWITCH
15) 硅觸發(fā)開關(guān) STS
16) 繼電器 RELAY
17) 金屬氧化物壓變電阻 MOV
18) 壓變電阻 VARISTOR
19) 達(dá)林頓陣列 DARLINTON

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