STD2000 半導體分立器件靜態參數測試儀系統
參考價 | ¥ 259000 |
訂貨量 | ≥1臺 |
- 公司名稱 陜西天士立科技有限公司
- 品牌 其他品牌/OtherBrands
- 型號 STD2000
- 所在地 西安市
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2024/4/24 15:17:22
- 訪問次數 103
參考價 | ¥ 259000 |
訂貨量 | ≥1臺 |
陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導體分立器件靜態參數測試儀系統可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態直流參數和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf…
半導體分立器件靜態參數測試儀系統
陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導體分立器件靜態參數測試儀系統可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態直流參數和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內阻Rds(on))以及IV特性曲線等
產品型號:STD2000
產品名稱:半導體分立器件靜態參數測試儀系統
主機尺寸:深660*寬430*高210(mm)
主機重量:<35kg
主機功耗:<300W
海拔高度:海拔不超過 4000m;
環境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);
相對濕度: 20%RH~75%RH (無凝露,濕球溫度計溫度 45℃以下);
大氣壓力:86Kpa~106Kpa;
防護條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等;
電網要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;
工作時間:連續;
三代半:優秀的性能應對第三代半導體及傳統器件,Si, sic,GaN 器件
測試品類:覆蓋 25 類常見的電子元器件及 IC 類,且支持定制擴展
功能豐富:輕松表征元器件“靜態特性”“IV 曲線”“Cxss”“CV”
分析篩選:功能全面,配置豐富,勝任實驗室場景中各類電參數表征
量產測試:1h高達 7K~12K 的測試效率,可連接“分選機”“編帶機”Prober 接口、16Bin
一鍵加熱:一鍵脈沖自動加熱至+130°C,耗時< 1s
高壓源:1400V (選配2KV)
高流源:40A(選配100A,200A,500A)
驅動電壓:20V/10uA~100mA (選配+40V/10uA~100mA)
漏電測量:1nA 漏電持續穩定測量,表現出優秀的一致性和穩定性,更有1.5pA 微電流測量選件可供選擇。
高精度:16 位ADC/DAC,0.1%精度,1M/S 采樣速率
程控軟件:基于Lab VIEW 平臺開發的填充式菜單軟件界面
夾具工裝:適配各類封裝形式的器件,自動識別器件極性 NPN/PNP
校準:系統自帶校準軟件,也可通過RS232 接口連接數字表進行校驗
01. Diode / 二極管(穩壓、瞬態、三端 肖特基、TVS、整流橋、三相整流橋)
02. BJT / 三極管
03. Mosfet & JFET / 場效應管
04. SCR / 可控硅(單向/雙向)
05. IGBT / 絕緣柵雙極大功率晶體管
06. OC / 光耦 07. Relay / 繼電器
08. Darlington tube / 達林頓陣列
09. Current sensor/電流傳感器
10. 基準 IC(TL431)
11. 電壓復位IC
12. 穩壓器(三端/四端)
13. 三端開關功率驅動器
14. 七端半橋驅動器
15. 高邊功率開關
16. 電壓保護器(單組/雙組)
17. 開關穩壓集成器
18. 壓敏電阻
19.電壓監控器
漏電參數:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、 VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
導通參數:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、 IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、IIN(Regulator)
關斷參數:VGSOFF
觸發參數:IGT、VGT
保持參數:IH、IH+、IH-
鎖定參數:IL、IL+、IL-
增益參數:hFE、CTR、gFS
間接參數:IL
混合參數:RDSON、gFS、Input@Output / Regulation
1、測試分析(功率器件研發設計階段的初始測試,主要功能為曲線追蹤儀)
2、失效分析(對失效器件進行測試分析,查找失效機理。以便于對電子整機的整體設計和使用過程提出改善方案)
3、選型配對(在器件焊接至電路板之前進行全部測試,將測試數據比較一致的器件進行分類配對)
4、來料檢驗(研究所及電子廠的質量部(IQC)對入廠器件進行抽檢/全檢,把控器件的良品率)
5、量產測試(可連接機械手、掃碼槍、分選機等各類輔助機械設備,實現規模化、自動化測試)
6、替代進口(半導體分立器件靜態參數測試儀系統可替代同級別進口產品)
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