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STD2000 半導體分立器件靜態參數測試儀系統

參考價 259000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱 陜西天士立科技有限公司
  • 品牌 其他品牌/OtherBrands
  • 型號 STD2000
  • 所在地 西安市
  • 廠商性質 生產廠家
  • 更新時間 2024/4/24 15:17:22
  • 訪問次數 103

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陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導體分立器件靜態參數測試儀系統可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態直流參數和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf…

詳細信息 在線詢價

半導體分立器件靜態參數測試儀系統


陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導體分立器件靜態參數測試儀系統可以測試Si,SiC,GaN & IGBTMosfetDiodeBJTSCROC/光耦......等很多電子元器件的靜態直流參數和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內阻Rds(on))以及IV特性曲線等


 

一、產品信息及規格

產品型號:STD2000

產品名稱:半導體分立器件靜態參數測試儀系統

主機尺寸:深660*430*210(mm)

主機重量:<35kg

主機功耗:<300W

海拔高度:海拔不超過 4000m

環境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);

相對濕度: 20%RH75%RH (無凝露,濕球溫度計溫度 45℃以下)

大氣壓力:86Kpa106Kpa

防護條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等;

電網要求:AC220V、±10%50Hz±1Hz

工作時間:連續;

半導體分立器件靜態參數測試儀系統


 

二、產品特點

三代半:優秀的性能應對第三代半導體及傳統器件,Si, sic,GaN 器件

測試品類:覆蓋 25 類常見的電子元器件及 IC 類,且支持定制擴展

功能豐富:輕松表征元器件“靜態特性”“IV 曲線”“Cxss”“CV

分析篩選:功能全面,配置豐富,勝任實驗室場景中各類電參數表征

量產測試:1h高達 7K~12K 的測試效率,可連接“分選機”“編帶機”Prober 接口、16Bin

一鍵加熱:一鍵脈沖自動加熱至+130°C,耗時< 1s

高壓源:1400V (選配2KV)

高流源:40A(選配100A,200A,500A)

驅動電壓:20V/10uA~100mA (選配+40V/10uA~100mA)

漏電測量:1nA 漏電持續穩定測量,表現出優秀的一致性和穩定性,更有1.5pA 微電流測量選件可供選擇。

高精度:16 ADC/DAC0.1%精度,1M/S 采樣速率

程控軟件:基于Lab VIEW 平臺開發的填充式菜單軟件界面

夾具工裝:適配各類封裝形式的器件,自動識別器件極性 NPN/PNP

校準:系統自帶校準軟件,也可通過RS232 接口連接數字表進行校驗

 

三、測試范圍

01. Diode / 二極管(穩壓、瞬態、三端 肖特基、TVS、整流橋、三相整流橋)

02. BJT / 三極管

03. Mosfet & JFET / 場效應管

04. SCR / 可控硅(單向/雙向)

05. IGBT / 絕緣柵雙極大功率晶體管

06. OC / 光耦 07. Relay / 繼電器

08. Darlington tube / 達林頓陣列

09. Current sensor/電流傳感器

10. 基準 IC(TL431)

11. 電壓復位IC

12. 穩壓器(三端/四端)

13. 三端開關功率驅動器

14. 七端半橋驅動器

15. 高邊功率開關

16. 電壓保護器(單組/雙組)

17. 開關穩壓集成器

18. 壓敏電阻

19.電壓監控器

四、測試參數

漏電參數:IRICBOLCEO/S/XIDSS/XIDOFFIDRMIRRMICOFFIDGOICESIGESFIGESRIEBOIGSSFIGSSRIGSSIGKOIR(OPTO)

擊穿參數:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSSVDBVCBOVDRMVRRMVBBBVR VD+VD-BVDGOBVZBVEBOBVGSSBVGKO

導通參數:VCESATVBESATVBEONVFVTVT+VT-VONVDSONVDONVGSONVF(Opto-Diode)VGSTHVTMVGETHVSDIDONVSATIDONVO(Regulator)Notch = IGT1IGT4ICONVGEONIIN(Regulator)

關斷參數:VGSOFF

觸發參數:IGTVGT

保持參數:IHIH+IH-

鎖定參數:ILIL+IL-

增益參數:hFECTRgFS

間接參數:IL

混合參數:RDSONgFSInput@Output / Regulation

五、應用場景

1測試分析(功率器件研發設計階段的初始測試主要功能為曲線追蹤儀

2失效分析(對失效器件進行測試分析,查找失效機理。以便于對電子整機的整體設計和使用過程提出改善方案)

3選型配對(在器件焊接至電路板之前進行全部測試,將測試數據比較一致的器件進行分類配對)

4來料檢驗(研究所及電子廠的質量部(IQC)對入廠器件進行抽檢/全檢,把控器件的良品率)

5量產測試(可連接機械手、掃碼槍、分選機等各類輔助機械設備,實現規模化、自動化測試)

6替代進口半導體分立器件靜態參數測試儀系統可替代同級別進口產品)


半導體分立器件靜態參數測試儀系統

 

 

六、性能指標

 

半導體分立器件靜態參數測試儀系統


 

 



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