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RTP-3-04 半導體芯片退火設備 RTP快速退火爐

參考價 560000 550000 530000
訂貨量 1-2 3-5 ≥6
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 武漢嘉儀通科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 RTP-3-04
  • 所在地 武漢市
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2023/6/14 15:33:27
  • 訪問次數(shù) 402

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半導體芯片退火設備 RTP快速退火爐可應用于集成電路的離子注入退火;集成電路、LED芯片、半導體激光器芯片、射頻芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半導體等的合金化退火;石墨烯,Au納米晶的制備;集成電路,LED芯片、第三代半導體等的致密化退火;集成電路、分立器件、功率器件、射頻芯片等的熱氮化/熱氧化退火。

詳細信息 在線詢價

半導體芯片退火設備 RTP快速退火爐可應用于集成電路的離子注入退火;集成電路、LED芯片、半導體激光器芯片、射頻芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半導體等的合金化退火;石墨烯,Au納米晶的制備;集成電路,LED芯片、第三代半導體等的致密化退火;集成電路、分立器件、功率器件、射頻芯片等的熱氮化/熱氧化退火。

快速退火爐(RTP-3-04臺式系列) (3).png


快速退火爐對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氮化(RTN)、快速熱氧化(RTO)及金屬合金化等研究和生產(chǎn)起到重要作用。

溫度范圍:RT~1200℃,大升溫速率:50 ℃/s  控溫精度:±0.1℃   溫度均勻性:±1%   降溫速率:1200℃→400℃:200℃/min400℃→100℃:20℃/min


半導體芯片退火設備 RTP快速退火爐產(chǎn)品特點

● 快速加熱和降溫: 高可控升溫速率可達50 ℃/s,特定條件下可以達到100 ℃/s。冷壁水冷設計能夠達到較大的降溫速率,特定條件下可達30 ℃/s。

● 精確控溫: 采用工業(yè)溫控器進行PID精確控溫,目標溫度與設定溫度曲線一致性高,可實現(xiàn)室溫至1200 ℃的溫度精確控制。

● 適應多種工藝環(huán)境: 滿足多種工藝氣氛下的熱處理(氮氣、氬氣等)。同時,通過選配真空泵,可以在真空條件下進行退火,高真空度可達10-3Pa。

● 配備觀察窗口: 通過觀察窗口,可以實時觀察熱處理過程中的樣品變化。同時,可以結(jié)合相關(guān)測試方法進行原位測試分析。

● 超高安全系數(shù): 采用爐壁超溫報警系統(tǒng)和冷卻水流量報警系統(tǒng),多方位保障儀器使用安全。

● 國產(chǎn)退火爐:擁有自主研發(fā)技術(shù)和制造能力,能快速反應客戶售后需求。


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