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上海伯東代理美國 KRI 霍爾離子源 eH200

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霍爾離子源 eH 200

KRI 霍爾離子源 eH 200
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KRI 霍爾離子源 eH 200 技術(shù)參數(shù)：

型號

eH 200

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300V VDC

  - 離子源直徑

~ 2 cm

  - 陽極結(jié)構(gòu)

模塊化

電源控制

eHx-3005A

配置

-

  - 陰極中和器

Filament or Hollow Cathode

  - 離子束發(fā)散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽極

標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved

  - 水冷

無

  - 底座

移動或快接法蘭

  - 高度

2.0'

  - 直徑

2.5'

  -加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

  -工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

6-24”

  - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Filamentless; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 200 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD


若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式

上海伯東: 羅先生





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