目前國內(nèi)高溫加熱大都為管式爐或馬弗爐，原理為加熱絲或硅碳棒對爐體加熱，加熱與降溫速度慢，效率低下，也無法實(shí)現(xiàn)溫度的測量，加熱區(qū)域也存在不均勻的現(xiàn)象，華測公司是通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)，高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置，在高速加熱高速冷卻時(shí)，具有良好的溫度分布。可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，用石英管保護(hù)加熱式樣，無氣氛污染。可在高真空，高出純度氣體中加熱。設(shè)備可組成均熱高速加熱爐，溫度斜率爐，階段加熱爐。
它提高了加熱試驗(yàn)?zāi)芰ΑＭ娮锠t和其他爐相比，紅外線反射爐節(jié)省了升溫時(shí)間和保持時(shí)間及自然冷卻到室溫所需時(shí)間，再試驗(yàn)中也可改寫設(shè)定溫度值。從各方面講，都節(jié)省時(shí)間并提高實(shí)驗(yàn)速度。同高頻爐相比，不需特殊的安裝條件及對加熱試樣的要求。同電阻爐一樣安裝簡單，有冷卻系統(tǒng)安全可靠。以提高試驗(yàn)人員的工作效率，實(shí)現(xiàn)全新的溫度控制操作!
目前電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻、高功率設(shè)備，將對電網(wǎng)造成諧波干擾。從而在高頻、弱信號(hào)測量過程中影響弱信號(hào)的采集，華測儀器公司推出的抗干擾模塊以及采用最新特殊參數(shù)分析技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高達(dá)120MHz的高頻測量,從而滿足了很多半導(dǎo)體,功能材料和納米器件的測試需求.
設(shè)備優(yōu)勢
阻抗分析儀測量&高溫爐基本參數(shù)
更強(qiáng)大的操作軟件
高速升溫時(shí)，配套的快速反應(yīng)的紅外線反射爐控制裝置，本控制裝 營采用可編程溫度控制器。高性能緊湊設(shè)計(jì)，響應(yīng)速度愉。為了高速加熱設(shè)備采用PID溫度控制， 同時(shí)采用移相觸發(fā)技術(shù)保證試價(jià)溫度。
●據(jù)設(shè)備上的溫度控制器輸入?yún)?shù)， 您也可以簡單輸入濕度程序設(shè)定和外部信號(hào)。另外還可以在電腦上星示熱中的溫度數(shù)據(jù)。
●自適應(yīng)熱電偶包括J、I、S、K、J、T、E、L、N、R、S、B、以及L、U、W型。
●最大可設(shè)定32個(gè)程序，256個(gè)步理的程序。
●30A.60A. 120A內(nèi)置 TSCR電路所以范圍很廣。
●250mmWx 380mmDx157mmH小巧尺寸D設(shè)備配置。
不一樣的加溫方式及更多的應(yīng)用場景
高溫退火爐先進(jìn)材料測試儀器
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