原子層沉積 (ALD) 是一種真正的納米技術, 可以準確可靠地沉積僅幾個納米厚的超薄薄膜。等離子體可以實現出色的表面預處理, 控制薄膜性質以及作為種類廣泛的沉積源。牛津儀器 FlexAL原子層沉積（ALD）系統可提供遠程等離子體原子層沉積（ALD），這為納米結構和器件的工程設計提供了一系列新的靈活性和可行性。
牛津儀器 FlexAL原子層沉積（ALD）系統涵蓋的系列設備可以滿足學術界、企業研發和小規模生產的多種需求。

• 在同一設備中可靈活使用遠程等離子體與熱ALD

• 集群式配置保證始終于真空下傳送襯底

• 盒式對盒式操作可提高產能以適于量產

• 對材料和氣體/液體源的選擇具有更大的靈活性

• 等離子體ALD可進行低溫工藝

• 使用遠程等離子體以確保低損傷

• 通過配方驅動的軟件界面實現可控的和可重復的工藝

• 可處理高達200mm的晶圓

牛津儀器 FlexAL原子層沉積（ALD）系統特點

牛津儀器有大量的工藝儲備，并且還在不斷開發新的工藝。我們為所有的ALD設備提供的、延續不斷的工藝支持，我們還將為您提供關于開發新材料的建議，同時繼續與您共享包括新工藝配方在內的新的ALD工藝進展。

氣體/液體源前驅體模式上 - 一體化手套箱 —— 實時轉換

一體化端口 - 允許添加實時橢偏儀測量工具

集群式配置 - 始終于真空下傳送襯底

盒式對盒式操作 - 可提高產能以適于量產

機器手臂與片盒式 - 可處理100mm，150mm或200mm晶圓（無需額外設備進行晶圓交換）

所有系統都可以放置于超凈間內或嵌入墻體 - 易于放置

自動化的200mm晶圓真空傳送 - 工藝靈活性

牛津儀器 FlexAL原子層沉積（ALD）系統應用

• 納米電子
• 高K柵氧化物
• 存儲電容電介質
• 用于Cu互連的高深寬比擴散隔層
• 用于OLED和聚合物的無針孔鈍化層
• 用于晶體硅太陽能電池的鈍化
• 用于微流體和MEM的高保形涂層
• 納米多孔結構的涂層
• 生物MEMS
• 燃料電池
• 學習
• 原子尺度工藝