牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD特點

• 更好的均勻性、高產量以及高精度的工藝

• 高質量薄膜

• 電極的適用溫度范圍寬

• 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

• 快速更換不同尺寸晶圓

• 購置成本低且易于維護

• 緊密的設計，布局靈活

• 電阻絲加熱電極，溫度可達400°C或1200°C

• 實時監測清洗工藝， 并且可自動停止工藝

牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD應用

• 在低溫度下沉積低損傷的薄膜
• 可沉積的典型材料包括： SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC，襯底溫度可低至5ºC 
• 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工藝的均勻性
• 晶圓尺寸高至200mm
• 電極的溫度范圍為5ºC至400ºC
• 已獲得的ICPCVD氣體配送技術
• 實時監測清洗工藝， 并且可自動停止工藝