PlasmaPro 800為大批量和300毫米晶圓的等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝提供了一種靈活的解決方案，占地面積小，開放式裝載系統。大型的晶圓壓盤允許生產規模的批量加工和300毫米晶圓處理。PlasmaPro 800具有460mm直徑的工作臺，擁有處理整片的300mm晶圓或大批量43 x 50mm（2”）晶圓的能力， 可提供全套量產解決方案。PlasmaPro 800是*的市場前列產品。

• 高性能工藝

• 準確的襯底溫度控制

• 準確的工藝控制

• 成熟的300mm單晶圓失效分析工藝

特征

為化合物半導體、光電子和光子學應用提供了更為靈活的工藝，PlasmaPro 800 可提供：

大型電極 - 低成本

刻蝕終點監測 - 可靠性和可維護性俱佳

通過激光干涉儀與/或發射光譜進行終點監測 - 增強刻蝕控制

可選擇帶有4-、8-或12-條氣路的氣柜 - 可提供靈活的工藝和工藝氣體，可以與主機分離，放置在遠端服務區

近距離耦合渦輪泵 - 提供*的泵送速度加快氣體的流動速度

數據記錄 - 追溯腔室的歷史狀態以及工藝條件

液體冷卻和/或電加熱電極 - 出色的電極溫度控制和穩定性

應用

• 使用我們的具有特殊配置的失效分析設備進行干法刻蝕解剖工藝 —— 具有RIE和 PE兩種模式
• RIE／PE工藝涵蓋了從封裝好的芯片和裸芯片刻蝕到整片300mm晶圓刻蝕
• 高質量沉積的PECVD SiNx和SiO2 ，適用于光子學、介電層鈍化和諸多其它領域
• SiO2，SiNx和石英刻蝕
• 金屬和聚酰亞胺有機物刻蝕
• 用于高亮度LED生產的鈍化沉積
• III-V族刻蝕工藝