牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和少量生產的理想選擇。 該設備通過優化了的電極冷卻技術和出色的襯底溫度控制來實現高度穩定的工藝結果。
直開式設計允許快速裝卸晶圓
出色的刻蝕深度和刻蝕速率控制
出色的晶圓溫度均勻性
晶圓可達200mm
購置成本低
符合半導體行業 S2 / S8標準
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP應用
- III-V族材料刻蝕工藝
- 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
- 二氧化硅和石英刻蝕
- 用于失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
- 用于高亮度LED生產的硬掩模的沉積和刻蝕
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP特點
- 小型系統 —— 易于安置
- 優化的電極冷卻系統 —— 襯底溫度控制
- 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構 —— 確保能提升工藝均勻性和速率
- 增加<500毫秒的數據記錄功能 —— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
- 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達到所要求的低真空度
- 關鍵部件容易觸及 ——系統維護變得直接簡單
- X20控制系統——大幅提高了數據信息處理能力， 并且可以實現更快更可重復的匹配
- 通過前端軟件進行設備故障診斷 —— 故障診斷速度快
- 用干涉法進行激光終點監測 —— 在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
- 用發射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監測 —— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監測
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產生高密度的反應粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發生器獨立控制, 因此可根據工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應粒子
- 精準的襯底直流偏壓控制
- 精準的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點及優勢
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來實現
- 能夠利用低離子能量實現對選擇比和損傷的控制
- 獨立的射頻和電感耦合等離子體發生器分別提供了對離子能量和離子密度的獨立控制, 從而實現了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時仍具有高離子密度，這樣可以改善對外形的控制
- 化學和離子誘導刻蝕
- 也可以在RIE模式下運行，以滿足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導通的泵送端口可提供高氣體流量，以實現快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對器件的電學損傷，以及在腔室內減少了雜質顆粒的形成
- 標準化的晶圓壓盤與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時可以選擇更寬的溫度范圍
