CL-STEM設備特點：

→ 從激發發光到探測，光的傳輸損失小

→ 恒定光譜分辨率，無需損失強度。

→ 3軸亞微米級電動反光鏡—采集樣品任意位置發光

→ 精密設計，配置于極靴/樣品間 2mm 間隙。

→ 配置超快相機及高精度掃描收集鏡，可在數毫秒瞬間實現紫外可見近紅外高光譜成像

→ 與STEM其他技術*兼容

(HAADF, BF, diffraction, EELS (插入式探測器),EDS, Tomography (可伸縮探測器)

→ 與Gatan Digital Micrograph軟件兼容

CL-STEM應用領域：

→ *材料性質研究，如：

氮化物半導體 (GaN, InGaN, AlGaN, …);

III-V族半導體(GaP,InP,GaAs,…);

II-VI族半導體(CdTe,ZnO,…)

→ 寬禁帶材料(diamond, AlN, BN)

→ 檢測復合材料的成分的不均一性 (例如：InGaN材料中In富集)

→ 材料微納結構或異質結構形貌相關聯的光學特性

→ 缺陷表征(空位，線位錯，堆垛層錯, …)

→ 表面等離子體激元學

CL-STEM設備參數：

測試模式：陰極熒光高光譜mapping.

光學部分

→ 反光鏡

→ 光纖耦合器

→ 光譜收集范圍 200-1700 nm

→ 信號經過光纖解耦合器實現無需校準

→ 各光學部件數值孔徑相互匹配，光強損失減到小

→ 收集的陰極熒光信號可以耦合到用戶自己的光學設備里 (例如干涉儀、光源注入器等)

→ 用戶可根據需求快速更換傳導光纖

探測器部分：

→ 采用3光柵塔臺雙出口的色散分光計(光柵在下訂單時由客戶選擇)

→ 可選取高速EMCCD 相機用于探測UV-Vis波段；或者高速 CCD 相機用于探測UV-NIR波段InGaAs線陣列探測器用于NIR (可選項)

微定位系統：

→ 3自由度收集鏡實現樣品任意位置的信號收集行程: ±150 (Z), 3 mm (X), 100 mm (Y)

→ 小步長：500 nm

→ 可重復性(整個行程內): 500 nm

→ 觸碰提示避免損傷極靴

系統控制：

→ 4通道掃描卡：1個用于額外的單通道探測器，2個用于控制STEMXY軸掃描， 1個用于控制STEM電子束

→ *的檢測速度：900Hz (128*128 mapping 僅需18s)

→ 控制軟件兼容Win7

→ 可以使用Gatan Digital Micrograph軟件進行數據采集和圖形化

安裝要求：

→ 極靴和樣品臺之間有2mm以上的空間(上下兩個極靴之間大于4mm）

→ 樣品與載物架之間間隙小于300 μm