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PHI 5000 Versaprobe III PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針

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PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針是PHI掃描XPS微探針設備全新產品,應用了PHI業界*的專屬掃描X-射線技術和專屬雙束中和技術,成為更高水平的多功能分析儀器。

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 PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針是PHI掃描XPS微探針設備全新產品,應用了PHI業界*的專屬掃描X-射線技術和專屬雙束中和技術,成為更高水平的多功能分析儀器。

 

 

 PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針全新技術:

  • 新的分析器輸入透鏡,將靈敏度提高了兩到三倍。
  • 新的多通道探測器使得元素和化學態成像速度更快。
  • 新的變角分析技術(ADXPS)收集角可達+/-5°,改善深度分辨率。
  • 冷熱樣品臺的溫度范圍得到提高,-140℃到+600℃。
  • 新的加熱樣品托可加熱至800℃。
  • 新的四點電觸式冷熱樣品臺可對樣品進行原位通電和加熱冷卻實驗。
  • 新設計的紫外光電子能譜UPS可自動點火和送氣體
  • 經過改善的俄歇SAM技術提供了更高的靈敏度和更好的信噪比,可同時進行REELS分析。

原位低能反光電子能譜 (LEIPS) 可在較低電子能量下(對材料無損傷)測試樣品的導帶信息。

 

 

 

PHI5000 Versaprobe III主要特征和功能:

  1. 微聚焦的掃描X射線束可應對從微區到大面積的分析需求。
  2. 高可靠全自動分析能力,可實現無人值守式隊列分析。
  3. 微區成像和圖譜采集,可同時高效對多個微區進行對比分析。
  4. 濺射深度剖析,可分析膜層結構和成分深度變化。
  5. 多種技術聯用的超高真空分析腔室,可擴展UPS、IPES、AES、C60、GCIB等多種技術。
  6. 智能用戶操作界面(SmartSoft-VersaProbe)。
  7. 數據處理軟件(MultiPak)。

 

   微聚焦的掃描X射線源

 

 

 

 

  掃描聚集X-射線技術是Versaprobe III的核心技術,也是PHI公司的*技術。單色、掃描、聚      集X-射線源可以更好地分析微觀及宏觀區域,全部的X射線設定(包括束斑直徑小于10μm的設定)    都能用于采譜分析,深度剖析和影像分析。具體表現如下:

  • 微聚焦的掃描X射線束。
  • X射線束用于二次電子成像。
  • XPS成分影像的每個像素點都可用于化學分析。
  • 單點或多點采譜分析。
  • 單點或多點薄膜分析。

 

  • 分析
    1. 鼠標點擊定義分析區域。
    2. 強大的Z軸自動校準功能。
    3. 一鍵雙束中和功能。
    4. 在自動分析隊列中,無須樣品導電性。

 

 

 

  • 一鍵中和

XPS可以分析所有固體材料表面的成分和化學態,包括導體、半導體和絕緣材料,但對絕緣體分析時需   要進行電荷補償。VersaProbeIII采用低能電子束和離子束雙束源同時對樣品表面進行電荷補償,該   技術只需一鍵開啟,實現從導體到絕緣體的自動分析。

 

 

 

 定位功能更加容易實現:

  SmartSoft將實時的數據(如導航圖、SXI、在線CCD)和測得的數據(如圖譜、深度剖析和化學       態分布像)在同一個界面上顯示,只需在導航圖上一個位置,樣品臺就會移動到該位置。另       外,通過AutoZ和SXI,可更加精確的定位所要分析的位置。一鍵中和和自動高度聚焦(AutoZ)功       能保證了自動分析的精確性,提高了分析效率,分析結果重復性很高。

 

 

 

深度剖析的優勢:

優化結構設計;

微聚焦X射線束;

靈敏度更高的分析器;

高效的離子槍;

*的雙束中和功能;

帶Zalar Rotation™功能的樣品臺;

微區的深度剖析功能;

多點的深度剖析功能。

1、無機物深度剖析:離子槍的工作電壓在0-5KeV范圍內可調。配有低電壓的浮動電位,可用于超薄      薄膜的深度分析。*設計的槍體彎曲結構可自動屏蔽中性的氬原子。

 

 

 2、有機物深度剖析:可選配10kV或者20kV的C60離子槍,也可選用20kV的GCIB(氣體團簇離子槍)用于     有機物的深度剖析。GCIB的特點是可以選擇特定質量的團簇離子源,并且能過濾中性的粒子。

 

 

 

PHI公司的VersaProbe III不但在微區XPS分析方面將靈敏度提高了3倍,而且通過變角分析模式和低能氬離子濺射使XPS的深度分辨率達到極限。如下圖所示,在傳統的分析中,其中光電子被收集的角度范圍為+/-20°,使得它難以分析外層表面。在新的變角分析模式下,+/- 5°窄角收集范圍可允許探測外層淺表面的成分信息。與此同時,全新引進的Ar-GCIB可以將離子束能量降低到1keV用于深度剖析。

 

 

團簇離子槍低能量濺射用于高分辨率的深度分析,如下圖所示,樣品為氧化劑,該譜圖表明C和O均存在與C73H107O12和C33H46N3O5中,但是N僅存在于C73H107O12中,在譜圖中,N元素的分布明顯是不均勻的,這得益于團簇離子槍的高深度分辨率。

 

 

 

 

  • SmartSoft-VersaProbe 軟件
  • 簡單易學的流程操作界面,對任何操作者來說都易于使用,讓操作效率更高。
    1. 直觀的用戶界面。
    2. 流程設計引導您完成整個分析過程。
    3. 集成樣品托移動功能。
    4. 在保存的圖像上定義分析區域。
    5. 直觀的分析任務列表。
    6. 單圖上實現多點分析和深度剖析功能。
    7. 集成所有選配件的操控。

 

  

  • MultiPak 數據處理軟件
  • 數據處理軟件集成AES和XPS數據庫:
  • 軟件擁有較全面的能譜數據庫。采譜分析、線掃描分析、成像和深度剖析的數據都能用MultiPak來處理。它強大的功能包括峰的定位,化學態信息的提取,定量測試,檢測限的增強等。MultiPak能在設備自帶的電腦上直接實時的處理數據生成報告,也能安裝在其他電腦上,處理數據生成報告。
    1. 自動譜峰識別。
    2. XPS化學態數據庫。
    3. XPS譜圖去卷積。
    4. 定量分析。
    5. 非線性小二乘法擬合。
    6. 線性小二乘法擬合。
    7. 目標因子分析法。
    8. 化學成像分析。
    9. 批量數據處理。

 

 

 

  • VP-III 多功能的技術集成平臺:根據研發的需要,以下是 VP-III 的可選擇的配置。

 

 

 

1. 掃描X射線源(標配);

2.進樣室(可選配相機);

3.離子槍(標配);

4. 能量分析器(標配);

5.CCD相機(標配);

   6a. 標準五軸樣品臺(可選配帶加熱冷卻功能的五軸樣品臺);

   6b. 液氮罐(與6a選配配合使用)

    7. 樣品預處理室(選配);

    8. C60離子槍(選配);

    9.紫外光源UPS(選配);

    10.雙陽極,非單色X射線源(選配)、LEIPS 低能反光電子能譜(選配);

    11.AES電子槍(選配);

    12.20kV團簇離子槍(選配)。

 

 

  • 應用領域:包括表面的元素與化學態分析(氫和氦除外)
  • 固體材料或產品表面的元素成分和化學態的定性和定量表征,包括有機和無機材料,導體、半導體和絕緣體。
  • 解析薄膜中的組成元素和化學態以及分布情況,包括半導體、薄膜結構、磁介質薄膜、光學鍍膜、裝飾涂料和耐磨涂層等。
  • 容易受到電子束破壞的樣品成分分析。
  • 能源環境、生物醫藥、聚合物(涂料、油脂、膠水、染料、橡膠、塑料等)、無機半導體和有機半導體如OLED, OPV等催化材料、硅酸鹽陶瓷、金屬合金、氧化物等材料分析。

 


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