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TeraSense太赫茲源（IMPATT二極管）是一類非常高效的微波和亞太赫茲波產生器件。其工作頻率范圍約為3-400GHz， 主要的優點是它們具有很高的輸出功率和緊湊小巧的外形封裝。IMPATT二極管具有非常窄的工作頻率帶寬，所以二極管內部尺寸必須根據相應的頻率來設計。此外，與其他類型的微波負阻二極管相比，基于IMPATT的發生器有可能實現更高的輸出功率水平。
140GHz太赫茲源-太赫茲波源-太赫茲發生器 產品描述：
140GHz太赫茲源-太赫茲波源-太赫茲發生器 美國TERASENSE公司研發太赫茲、亞太赫茲成像系統及器件，利用新的技術生產半導體材料的室溫工作太赫茲波探測器，高功率太赫茲發生器。TeraSense太赫茲源（IMPATT二極管）是一類非常高效的微波和亞太赫茲波產生器件。其工作頻率范圍約為3-400GHz， 主要的優點是它們具有很高的輸出功率和緊湊小巧的外形封裝。IMPATT二極管具有非常窄的工作頻率帶寬，所以二極管內部尺寸必須根據相應的頻率來設計。此外，與其他類型的微波負阻二極管相比，基于IMPATT的發生器有可能實現更高的輸出功率水平。IMPATT發生器也被證明是效、經濟效益高的高頻和大功率電源之一，使用壽命長，運行穩定可靠。Terasense現在提供新一代的太赫茲源。升級后的IMPATT二極管配備了一個保護隔離器，顯著提高了輸出功率的穩定性。并且現在有圓形輸出端口和喇叭形輸出端口兩種選項客供客戶選擇，可以靈活的與線型和面陣型的太赫茲相機匹配。
TeraSense系列的太赫茲源（IMPATT二極管）又名硅雙漂移二極管，具有0.6μm傳輸區域，安裝在銅散熱片上。雙漂移二極管中的各層是：重摻雜（p+）-區域、中等摻雜（p+）-區域、中度摻雜n-區域和重摻雜（n+）-區域。（p+）和（n+）-區域允許與外部電路形成歐姆電接觸。該器件依靠負電阻來產生和維持振蕩。優化頻率為100GHz時，該太赫茲源的典型輸出射頻功率（rfpower)可達100mW。這使得它們可以與倍增器一起使用，以達到遠太赫茲光譜范圍內的頻率。
應用范圍：
可選配項：
技術參數：
應用案例：
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