（1）二探針單晶硅及多晶硅測(cè)試儀量 程：0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V
（2）測(cè)量誤差：±0.3%讀數(shù)±2字
（3）輸入阻抗：0.2mV和2mV檔>106Ω 20mV檔及以上>108Ω
（4）顯 示：31/2位LED數(shù)字顯示，范圍0~1999。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
二探針單晶硅及多晶硅測(cè)試儀主要用于測(cè)量大直徑的單晶硅和多晶硅的電阻率分布情況，以便硅材料的切割和加工。
為適應(yīng)大規(guī)模集成電路的迅猛發(fā)展，津是計(jì)算機(jī)芯片、內(nèi)存的發(fā)展，越來(lái)越多的使用到了大直徑、高純度、均勻度更高的單晶硅材料。目前，在灣、灣等灣的工業(yè)灣，均采用了二探針法，使用二探針檢測(cè)儀來(lái)測(cè)量大直徑單晶硅的電阻率分布情況。
本儀器符合灣ASTM 《“F391-77”關(guān)于二探針測(cè)量硅單晶試驗(yàn)方法》的標(biāo)準(zhǔn)，是一種新型的半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀，適合半導(dǎo)體材料廠和器件廠用于二探針法灣測(cè)量單晶硅和多晶硅半導(dǎo)體棒狀材料的體電阻率，從而進(jìn)一步判斷半導(dǎo)體材料的性能，指導(dǎo)和監(jiān)視工藝操作，也可以用來(lái)測(cè)量金屬材料的電阻，儀器具有測(cè)量精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、造型美觀等特點(diǎn)。也可以配四探針測(cè)試頭作常規(guī)的四探針法測(cè)量硅晶體材料。儀器分為儀表電氣控制箱、測(cè)試臺(tái)、探頭三部分，儀表電氣控制箱由高靈敏度直流數(shù)字電壓表、高抗津高隔離性能的電源變換裝置、高穩(wěn)定高精度恒流源和電氣控制部分組成。測(cè)量結(jié)果由大型LED數(shù)字顯示，零位穩(wěn)定、輸入阻抗高，并設(shè)有自校功能。在棒狀材料使用二探針法測(cè)試時(shí)，具有系數(shù)修正功能，從面板輸入相應(yīng)的修正系數(shù)，可以直接讀出電阻率，使用方便。測(cè)試臺(tái)結(jié)構(gòu)新穎，造型美觀，可以方便地固定好大小任意尺寸的樣品，并可以作逐點(diǎn)選擇步進(jìn)測(cè)量，也可以自由選擇固定位置測(cè)量，電極活動(dòng)自如，具備鎖定裝置，方便重復(fù)測(cè)量。另外還配置了二處記錄板和轉(zhuǎn)椅，測(cè)試探頭能自動(dòng)升降，探針為碳化鎢材料，配置寶石軸承，具有測(cè)量精度高、游移率小、耐磨、使用壽命長(zhǎng)特點(diǎn)。同時(shí)探頭壓力恒定并且可調(diào)整，以適合不同的材料。
二探針單晶硅及多晶硅測(cè)試儀主要參數(shù)：
可測(cè)硅材料尺寸：
直徑Φ25~Φ150mm滿足ASTM F-397的技術(shù)要求。
二探針單晶硅及多晶硅測(cè)試儀長(zhǎng)度：100~1100mm.
測(cè)量方式：軸向測(cè)量，每隔10mm測(cè)量一點(diǎn)。
測(cè)量電阻率范圍：10-3~103Ω-cm,可擴(kuò)展到105Ω-cm。
數(shù)字電壓表：
（1）量    程：0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V
（2）測(cè)量誤差：±0.3%讀數(shù)±2字
（3）輸入阻抗：0.2mV和2mV檔>106Ω    20mV檔及以上>108Ω
（4）顯    示：31/2位LED數(shù)字顯示，范圍0~1999。
恒流源：
（1）電流輸出：直流電流0~100mA連續(xù)可調(diào)。
（2）量    程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
（3）電流誤差：±0.3%讀數(shù)±2字
二探針測(cè)試裝置：
（1）探針間距：4.77mm
（2）探針機(jī)械游移率：0.3%
（3）探針壓力：0~2kg可調(diào)
（4）測(cè)試探頭自動(dòng)升降
二探針測(cè)試臺(tái)
（1）測(cè)試硅單長(zhǎng)度：100-1100mm
（2）測(cè)試點(diǎn)間距：10mm
（3）測(cè)試臺(tái)有慢、快二種移動(dòng)速度，快速移動(dòng)速度為1000mm/分（均勻手動(dòng)）
電源：交流220V±10%，50HZ±2HZ，消耗功率<150W