高頻介電常數介質損耗角測試儀 讀數清晰,無須換算,操作簡便,特別適合電子元器件的質量分析,品質控制,科研生產,也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學等專業作科研實驗儀器.

高頻介電常數介質損耗角測試儀  產品特點：

數據采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT)，實現了數據采集、數據分析和計算的微處理化，tanδ 測量結果的獲得無須繁瑣的人工處理，因而提高了數據的精確度和測量的同一性，是人工讀值和人工計算*的。

一個高品質因數（Q)的電感器是測量系統*的輔助工具，關乎測試的靈敏度和精度，在系統中它與平板電容（BH916）構成了基于串聯諧振的測試回路。本系統推薦的電感器為LKI-1電感組，共由9個高性能電感器組成，以適配不同的檢測頻率。

 優化的測試電路設計使殘值更小

 高頻信號采用數碼調諧器和頻率鎖定技術

LED 數字讀出品質因數，手動/自動量程切換

 自動掃描被測件諧振點，標頻單鍵設置和鎖定，大大提高測試速度

高頻介電常數介質損耗角測試儀 標準配置：

①　高配Q表 一只  

②　試驗電極  一只 （c類）

③　電感      一套（9只）

④　電源線    一條

⑤　說明書    一份

⑥　合格證    一份

⑦　保修卡    一份

電氣絕緣材料的性能和用途

 1、電介質的用途

 電介質一般被用在兩個不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質

2、影響介電性能的因素

 下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。

2.1頻率

 因為只有少數材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內它們的 。r和 tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質材料，然而一般的電介質材料必須在所使用的頻率下測量其介質損耗因數和電容率。

 電容率和介質損耗因數的變化是由于介質極化和電導而產生，重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的.

2.2溫度

 損耗指數在一個頻率下可以出現一個大值，這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數和電容率的溫度系數可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質損耗指數大值位置。

2.3濕度

 極化的程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質損耗因數和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環境濕度進行控制是*的.

 注:濕度的顯著影響常常發生在 1MHz以下及微波頻率范圍內

2.4電場強度

 存在界面極化時，自由離子的數目隨電場強度增大而增加，其損耗指數大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下，只要電介質中不出現局部放電，電容率和介質損耗因數與電場強度無關

技術參數：

1．Q值測量

a．Q值測量范圍：2～1023。

b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c．標稱誤差

     頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

     固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%

     工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%

2．電感測量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測量：1~205

     主電容調節范圍：18～220pF

     準確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%

     注：大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

4.  信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

5．Q合格指示預置功能:      預置范圍：5～1000。

6．B-測試儀正常工作條件

a.  環境溫度：0℃～+40℃；

b．相對濕度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

術 語 和定義適用于本標準。
3. 1
相對 電 容 率 relativep ermittivity
ε_r
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時，其電容 C_x與同樣電極構形的真空電容C_o 之比:

       Cx

εr = ——　　----------（１）

       Co

式 中 :
ε_r  — 相對電容率;
C_X  — 充有絕緣材料時電容器的電極電容;
C_o  — 真空中電容器的電極電容。
在標準大氣壓下，不含二氧化碳的于燥空氣的相對電容率ε_r等于1.00053。因此，用這種電極構形在空氣中的電容C_a來代替C_o測量相對電容率ε_r時，也有足夠的精確度。
在 一 個 測量系統中，絕緣材料的電容率是在該系統中絕緣材料的相對電容率ε_r與真空電氣常數ε_o的乘積.
在 S I制 中，jue對電容率用法/米(F/m )表示。而且。在SI單位中，電氣常數ε_o為:
                         1

ε。=8. 854 X 10 ¹² F/m≈------ ×10⁹ F/m　　　　----（２）

                        36π

在本標準中，用皮法和厘米來計算電容，真空電氣常數為:

ε_o= 0. 088 54 pF/cm

定義

介質損耗角dielectric loss angle

δ
由絕緣材料作為介質的電容器上所施加的電壓與由此而產生的電流之間的相位差的余角。

介質損耗因數  dielectric dissipation factor

tanδ損耗角δ的正切。

〔介質〕損耗指數
ε^〃_r

該材料的損耗因數tanδ與相對電容率ε_r的乘積

復相對電容率complex relative permittivi

ε_r      由相對電容率和損耗指數結合而得到的：

ε_r    = ε'_r  －　 ｊε^〃_r　--------（３）

ε^〃_r＝　ε_r　----------（４）

ε^〃_r＝　ε_r----------（５）

　　　　ε^〃_r

Tanδ = --　　　　　　----------（６）

　　　　ε^'_r

式中：

ε_r --------  復相對電容率；

ε^〃_r--------  損耗指數；

ε^'_r、ε_{r   --------} 相對電容率；

Tanδ ------介質損耗因數。
注 :有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容C_s和電阻R_s的串聯電路表示，或用電容C_p和電阻R_p(或電導G₁, )的并聯電路表示

　　　　　　１　　　　　　Ｇ_ｐ

 Tanδ＝----－　＝　--－　　　　--------－（７）

　　　　ωC_pR_p                 ωC_p

 Tanδ＝ωC_sR_s　　----------（８）

式中：

C_s— 串聯電容;
R_s— 串聯電阻。

C_p ----- 并聯電容；

R_p ------并聯電阻。
雖然以并聯電路表示一個具有介質損耗的絕緣材料通常是合適的，但在單一頻率下，有時也需要以電容C_s和電阻R_s的串聯電路來表示。
串聯元件與并聯元件之間，成立下列關系:

       C_s

C_p = ---------------

     1+tan²δ  

      1+tan²δ

R_p =--------------- R_s

       Tan²δ

           1

ωCsRs = ------------

          ωC_pR_p

式(9)、 (10)、(11)中：Cs、Rs、Cp、Rp、tanδ同式(7)、(8)。
無論串聯表示法還是并聯表示法，其介質損耗因數tanδ是相等的.
假如測量電路依據串聯元件來產生結果，且tan'δ 太大而在式(9)中不能被忽略，則在計算電容率前必須先計算并聯電容。
本標準中的計算和側量是根據電流(ω=2πf)正弦波形作出的.